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InGaAs雪崩光電二極管
InGaAs APD可大大降低暗電流

該款I(lǐng)nGaAs APD（雪崩光電二極管）通過使用新的器件結(jié)構(gòu)和加工處理流程，和現(xiàn)有產(chǎn)品相比，大幅度降低了暗電流。 G14858-0020AA可以用于距離測量，微弱光檢測等。

品牌：Hamamatsu 

型號：G14858-0020AA

產(chǎn)品特點
· 低暗電流
· 低電容
· 高靈敏度
典型應(yīng)用
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產(chǎn)品介紹
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該款I(lǐng)nGaAs APD（雪崩光電二極管）通過使用新的器件結(jié)構(gòu)和加工處理流程，和現(xiàn)有產(chǎn)品相比，大幅度降低了暗電流。 G14858-0020AA可以用于距離測量，微弱光檢測等。


產(chǎn)品型號及主要指標
Model G14858-0020AA
象元數(shù) 1
感光面積 φ0.2 mm
封裝 Metal
封裝類型 TO-18
光譜響應(yīng)范圍 950 to 1700 nm
峰值波長（典型值） 1550 nm
靈敏度（典型值） 0.8 A/W
暗電流（最大值） 50 nA
截止頻率（典型值） 900 MHz
結(jié)電容（典型值） 2 pF
擊穿電壓（典型值） 65 V
擊穿電壓溫度系數(shù)（典型值） 0.1 V/℃
測試條件 Ta=25℃, Photosensitivity: λ=1.55 μm, M=1


光譜響應(yīng)

2.png

外形尺寸（單位：mm）

3.png

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